Yarı iletken teknolojisinde dünya liderlerinden Samsung Electronics, bugün Gate-All-Around (GAA) transistör mimarisini uygulayan 3 nanometre (nm) işlem sürecinin ilk üretimine başladığını duyurdu. Samsung'un ilk kez uygulanan GAA teknolojisi olan Çok Köprü Kanallı FET (MBCFET™), FinFET'in performans sınırlamalarına meydan okuyarak, besleme voltajı seviyesini azaltıp, güç verimliliğini artırırken aynı zamanda sürücü akımı kapasitesini artırarak işlemciden alınan performansı artırır.
Samsung, yüksek performans, düşük güç işlem uygulaması için yarı iletken işlemcilere sahip nanosheet transistörün ilk uygulamasını başlatıyor ve mobil işlemcilere genişletmeyi planlıyor.
Güney Koreli teknoloji devi, 3nm işleminin 5nm işlemine kıyasla güç kullanımını %45 azalttığını ve yüzey alanını %16 oranında azaltarak performansı %23 artırdığını söyledi. Güney Koreli teknoloji devi, 3nm işlem sürecinin, müşterilerin ihtiyaçlarını en iyi şekilde karşılayacak şekilde kanal genişliğini ayarlamasına izin veren esnek bir tasarım sunduğunu da duyurdu. Samsung, daha iyi güç kullanımı, performans ve yüzey alanı ile ikinci nesil bir 3nm işlem sürecinin de devam ettiğini söyledi.
Samsung, TSMC ile Rekabetini Sürdürüyor
Samsung, dünyanın en büyük işlemci üreticilerinden ve ikinci en büyük sözleşmeli yonga üreticisi ve dökümhanesi konumunda. Önce ticarileştirmek için kendi 3nm sürecini kullanarak seri üretime başlamaya hazırlanan dünyanın en büyük dökümhanesi Tayvan Yarı İletken Üretim Şirketi (TSMC) ile rekabet ediyor.
İki şirketin en son 3nm rekabetinin anahtarı, gelecek yılın amiral gemisi akıllı telefonlarına yönelen mobil işlemciler için Qualcomm gibi büyük müşterilerden daha fazla sipariş kazanmak olacak.
Geçtiğimiz ay Samsung, önümüzdeki beş yıl içinde yarı iletkenler de dâhil olmak üzere stratejik işletmelere 355 milyar dolar harcamayı planladığını duyurmuştu. Geçen yıl şirket Taylor, Teksas'ta yeni bir işlemci fabrikası kurmak için 17 milyar dolar harcayacağını açıklamıştı.
YORUMLAR